Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2013 год

1. Bogdanov, Yu.I. Mathematical models of quantum noise / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. Art. 870019.
2. Bogdanov, Yu.I. Modeling of quantum noise and the quality of hardware components of quantum computers / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. Art. 87001A.
3. Bogdanov, Yu.I. Creating, maintaining, and breaking of quantum entanglement in quantum operations / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky, B.I. Bantysh // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. Art. 87001B.
4. Bogdanov, Yu.I. Mathematical modeling and experimental study of polarization echo in optically anisotropic media / Yu.I. Bogdanov, A.A. Kalinkin, S.P. Kulik, E.V. Moreva, V.A. Shershulin, L.V. Belinsky // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. Art. 87001C.
5. Bogdanov, Yu. I. Quantum polarization transformations in anisotropic dispersive medium / Yu. I. Bogdanov, A. A. Kalinkin, S. P. Kulik, E. V. Moreva, V. A. Shershulin // New Journal of Physics. 2013. V.15. 035012. 24 p
6. Богданов, Ю.И. Вычислительные задачи моделирования элементной базы квантовых компьютеров / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, И.А.Семенихин, А.С. Холево, А.Ю. Чернявский // Информационные технологии и вычислительные системы. 2013. №3 с.3-14.
7. Богданов, Ю.И. Методы оценивания качества квантовых информационных технологий на основе квантовых измерений / Ю.И. Богданов, А.К. Гавриченко, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.76-108.
8. Bogdanov, Yu.I. The efficiency of quantum tomography based on photon detection / Yu. I. Bogdanov, S. P. Kulik // Laser Physics Letters. 2013. V.10. №12. 125202. 7p.
9. Кокин, А.А. Исследования моделей полномасштабных квантовых компьютеров на ядерных спинах в ФТИАН // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.19-55.
10. Ryzhii, V. Double injection in graphene p-i-n structures / V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, and T. Otsuji // J. Appl. Phys. 113, 244505 9p (2013)
11. Zanuccoli, M. Advanced electro-optical simulation of nanowire-based solar cells / M. Zanuccoli, I. Semenihin, J. Michallon, E. Sangiorgi, C. Fiegna // J Comput Electron. - 2013. - V.12. - Р.572–584; DOI 10.1007/s10825-013-0516-1.
12. Semenikhin, I. Computationally efficient finite-difference modal method for the solution of Maxwell's equations / I. Semenikhin and M. Zanuccoli // J. Opt. Soc. Am. A. - 2013. - V.30. - P. 2531-2538.
13. Zanuccoli, M. Numerical simulation of vertical silicon nanowires based heterojunction solar cells / M. Zanuccoli, J. Michallon, I. Semenihin, C. Fiegna, A. Kaminski-Cachopo, E. Sangiorgi, V. Vyurkov // Energy Procedia. 2013. - V.38. - P.216-222. (Proceedings of the 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2013), Hamelin, Germany, March 25-27).
14. Katamadze, K. G. Intracavity generation of broadband biphotons in a thin crystal / K. G. Katamadze, N. A. Borshchevskaya, I. V. Dyakonov, A. V. Paterova and S. P. Kulik // Laser Physics Letters. - 2013. - V.10(4). - P. 045203.
15. Цуканов, А.В. Твердотельные зарядовые кубиты на одиночных и двойных квантовых точках / А.В.Цуканов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С. 56-75.
16. Цуканов, А.В. NV-центры в алмазе. Часть III: Квантовые алгоритмы, масштабирование, гибридные системы / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 3.
17. Цуканов, А.В. Квантовая память на ансамблевых состояниях NV-центров в алмазе / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 163.
18. Цуканов, А.В. Квантовые операции на зарядовых кубитах с электростатическим управлением в полупроводниковых резонаторах / А.В.Цуканов, И.Ю.Катеев // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 246.
19. Цуканов, А.В. Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть I / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 403.
20. Чуев, М.А. О форме гамма-резонансных спектров ферримагнитных наночастиц в условиях метамагнетизма / М.А.Чуев // Письма в ЖЭТФ. - 2013. - Т.98. - №8. - С. 523-528.
21. Чуев, М.А. Мессбауэровская спектроскопия магнитных наночастиц: от универсального качественного описания к реалистичным моделям магнитной динамики частиц разной магнитной природы и диагностике наноматериалов / М.А.Чуев // Известия РАН - Сер. физическая. - 2013. - Т.77. - №6. - С. 725–729.
22. Чуев, М.А. Диагностика магнитных наноматериалов на основе исследования магнитной динамики наночастиц в «статических» и радиочастотных экспериментах / М.А.Чуев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.175-191.
23. Поликарпов, Д.М. Применение мессбауэровской спектроскопии для интерпретации результатов гистологического анализа железосодержащих соединений в головном мозге крысы / Д.М.Поликарпов, Р.Р.Габбасов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, В.Я.Панченко // Известия РАН - Cер. физическая. - 2013. -Т.77/ - №6. - С. 803–806.
24. Polikarpov, D.M. Efficiency analysis of clearance of two types of exogenous iron from the rat brain by Mossbauer spectroscopy / D.M.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, R.R.Gabbasov, I.N.Mischenko, V.A.Korshunov, V.Y.Panchenko // Hyperfine Interact. - 2013. V.219. - P. 83-88.
25. Mischenko, I. Biodegradation of magnetic nanoparticles evaluated from Mossbauer and magnetization measurements / I.Mischenko, M.Chuev, V.Cherepanov, M.Polikarpov, V.Panchenko // Hyperfine Interact. - 2013. - V.219. - P.57-61.
26. Мищенко, И.Н. Антиферромагнитные флуктуации в тяжелофермионном соединении CePdSn по данным мессбауэровской спектроскопии / И.Н.Мищенко, М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев // Известия РАН - сер. физическая. 2013. T.77. №6. C. 759–762.
27. Сивков, В.Н. Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния / В.Н. Сивков, А.А. Ломов, А.Л. Васильев, С.В. Некипелов, О.В. Петрова // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47. - №8. - С.1048-1054.
28. Lomov, A. High-resolution X-ray diffraction and electron microscopy study of porous GaAs substrates / Andrey A. Lomov, Jan Grym, Dusan Nohavica, Andrey S. Orehov, Alexander L. Vasiliev, Dmitri V. Novikov // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700.- P. 87000D-1 87000D7 .
29. Sizova, N. L. Anisotropy of Microhardness and Fracture in Cs2Ni(SO4)2 6H2O Single Crystals / N. L. Sizova, A. E. Voloshin, V. L. Manomenova, E. B. Rudneva, and A. A. Lomov // Crystallography Reports. 2013. V. 57.No. 3. P. 410-414.
30. Кудря, В.П. Расчет пропускной способности газового канала источников пучков быстрых нейтральных частиц методом Монте-Карло / В.П.Кудря, Ю.П. Маишев // Микроэлектроника. 2013. T.42. - №3. - C. 227-232.
31. Bruk, M.A. The new dry method of mask (relief) formation by direct electron-beam etching of resist / M.A. Bruk, E.N. Zhikharev, D.R. Streltsov, V.A. Kalnov, A.V. Spirin // Microelectronic Engineering. V.112, December 2013. Р. 1-4.
32. Брук, М. А. Новый сухой метод формирования маскирующего изображения (рельефа) непосредственно в процессе электронно-лучевого экспонирования резиста / М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, В. А. Кальнов, А. В. Спирин, Д. Р. Стрельцов //Микроэлектроника. 2013. T. 42. № 5. C.331-340.
33. Васильев, С.В. Исследование годовой динамики кальцийсодержащих наночастиц, выделенных из гнейсов, вскрытых Воротиловской глубокой научной скважиной / С.В.Васильев, О.Ю.Златоустова (Приходько), Д.Э.Пухов, А.СРудый., А.Б.Чурилов, Н.В.Шеховцова, А.Ю.Ягушкина // Интеграл. 2013. №1,2 (69-70). C. 16-20.
34. Бердников, А.Е. Кремнийсодержащий нанокомпозит для тонкопленочного литий-ионного аккумулятора / А.Е.Бердников, В.Н.Геращенко, В.Н.Гусев, Т.Л.Кулова, А.В.Метлицкая, А.А.Мироненко, А.С.Рудый, А.М.Скундин // Письма в ЖТФ. 2013. том 39. вып. 7. C. 73-78.
35. Рудый, А. С. Механизм формирования волнового нанорельефа при эрозии поверхности ионной бомбардировкой в рамках модели Бредли-Харпера / А. С.Рудый, А. Н.Куликов, А.В.Метлицкая // Микроэлектроника. 2013. Т.42. № 4. С. 298–305.
36. Богоявленский, Д.А. Роль структурных факторов в процессе регенерации нитроксильных радикалов при ингибированном окислении органических соединений / Д.А.Богоявленский, Т И.В.ихонов, Е.М.Плисс, А.И.Русаков // Башкирский хим. журнал. 2013. Т. 20. № 3. С. 77-80.
37. Сирик, А.В. Влияние эффекта неспецифической сольватации на процесс неингибированного окисления винильных соединений / А.В.Сирик, С.Н.Леднев, С.А.Волкова, А.В.Загрузина, А.Е.Никитина // Башкирский хим. журнал. 2013. Т. 20. № 2. С. 137-139.
38. Плисс, Е.М. Стабильные нитроксильные радикалы в химических и биохимических процессах / Плисс Е.М., Сень В., Тихонов И.В. // В кн: LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG, - Saarbruchen. 2013. - 96 с.
39. Morozov, O. The mode matching technology for MEMS gyroscopes with mutually spaced eigenfrequencies / O. Morozov, A. Postnikov, I. Kozin, A. Soloviev, A. Tarasov // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. - 87000T (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2016784
40. Амитонов, С.В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИ / С.В.Амитонов, Д.Е.Преснов, В.И.Рудаков, В.А.Крупенин // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. №. 3. С. 200.
41. Трушин, О.С. Комплекс программ микромагнитного моделирования micromag и его использование для исследования элементов спинтроники / О.С.Трушин, Н.Барабанова // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. №. 3. С. 218.
42. Бучин, Э.Ю. Эффект магнитомиграции в гранулированных пленках Co-Cu, осаждаемых ионно-плазменным методом / Э.Ю.Бучин, Д.А.Коканов, С.Г.Симакин, В.В.Наумов // Письма в ЖТФ. - 2013. - Т. 39. - Вып.12. - С.35.
43. Рудаков, В.И. Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / В.И.Рудаков, Е.А.Богоявленская, Ю.И.Денисенко, В.В.Овчаров, А.Л.Куреня, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, Н.И. Плис // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. № 3-4. С. 89-94.
44. Rudakov, V.I. Temperature oscillations in a silicon wafer under constant power of incoherent irradiation by heating lamps in a thermal chamber of RTP set up / V.I. Rudakov, A.L. Kurenya, V.V. Ovcharov, V.P. Prigara // Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 870006 (January 3, 2013); doi: 10.1117/12.2018016.
45. Rudakov, V.I. Features of formation of high-k dielectric layer in w/ultrathin HfO2/Si (100) structures under annealing. / V.I. Rudakov, E.A. Bogoyavlenskaya, Yu.I. Denisenko, V.V. Naumov // Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 87000E (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2018205.
46. Бучин, Э.Ю. Магнитооптическое исследование магнитных подсистем в гранулированных плёнках Co-Cu. / Э.Ю.Бучин, Д.А.Коканов, И.В.Кузнецова, В.А.Папорков // Вестник Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова. Серия Естественные и технические науки. 2013. № 2. С. 2-9.
47. Залуцкая, А.А.Цветовая окраска наноструктурированной поверхности / А.А.Залуцкая, А.В.Проказников, М.А.Проказников // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 9. - C. 11-18.
48. Zvezdin, N.Y. Magnetic properties variation of two-dimensional magnetophotonic crystals by light influence / N.Y.Zvezdin, A.V.Prokaznikov, D.E.Afanasyeva, V.A.Paporkov // Phys. Stat. Sol. (a). - 2013. V. 210. issue 10. - P. 2209-2213.
49. Богоявленская, Е.А. Формирование ультратонких затворных структур W/HfO2/Si при быстрой термической обработке / Е.А.Богоявленская, В.И.Рудаков, Ю.И. Денисенко // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2013. № 1. С. 75-79.
50. Трушин, О.С. Особенности магнитного переключения ячеек памяти TAS MRAM / О.С.Трушин, Н.И.Барабанова // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2013. № 3. С. 2-7.
51. Амиров, И.И. Влияние энергии ионов на морфологию поверхности пленки платины при высокочастотном ионно-плазменном распылении / И.И.Амиров, В.В.Наумов, М.О.Изюмов, Р.С.Селюков // ПЖТФ. 2013. Т.39. Вып.2. С. 68.
52. Uvarov, I.V. Resonance properties of multilayer metallic nanocantilevers / I.V. Uvarov, V.V. Naumov, I.I. Amirov // Proc. SPIE. 2013. V.8700 (International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012). P. 87000S (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2016751.
53. Уваров, И.В. Резонансные свойства многослойных металлических нанокантилеверов / И.В.Уваров, В.В.Наумов, И.И.Амиров // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. C. 29-32.
54. Уваpов, И. В. Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваpов, В. В. Наумов, И. И. Амиpов // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 11. C. 29-32.
55. Зимин, С. П. Особенности распыления в плазме поликристаллических пленок Pb1–xSnxTe со столбчатой структурой / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, И. И. Амиров, Г. А. Дубов, В. В. Наумов, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов, Х. Г. Сейди // Успехи прикладной физики. 2013. Том 1. № 3. С. 380.
56. Бердников, А.Е. Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения / А.Е. Бердников, В.Н. Гусев, А.А. Мироненко, А.А. Попов, А.В. Перминов, А.С. Рудый, В.Д. Черномордик // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып.5. С.626-632.
57. Volodin, V.A. Laser pulse crystallization and optical properties of Si/SiO2 and Si/Si3N4 multilayer nano-heterostructures / V.A. Volodin, S.A. Arzhannikova, A.A. Gismatulin, G.N. Kamaev, A.H. Antonenko, S.G. Cherkova, A.G. Cherkov, S.A. Kochubei, A.A. Popov, S. Robert, H. Rinnert, M. Vergnat // Proc.SPIE: "Micro- and Nanotechnologies 2012". - 2013. - V. 8700. - P.870008/1-870008/10.
58. Савинский, Н. Г. Контролируемый рост углеродных нанотрубок на закрепленном слое металлического катализатора методом осаждения из паровой фазы / Н. Г. Савинский, В. В. Наумов // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №3. С.63–69.
59. Савинский, Н. Г. 3D наноинтегрированные автоэмиссионные матрицы наноприборов на основе наноуглеродных эмиттеров / Н. Г. Савинский // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №3. - С.70-75.
60. Савинский, Н. Г. Влияние структуры многослойного пленочного катализатора в процессе синтеза из паровой фазы углеродных наноструктур / Н Г. Савинский, М.Л.Гитлин, А.А.Шорников, А.И.Русаков // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №1. - С.67 – 74.
61. Мордвинцев, В. М. Исследование электрических характеристик элементов памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах в виде открытой «сэндвич»-структуры TiN-SiO2-W / В.М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 2. С. 93-104.
62. Gorlachev, E. Development of the atomic force microscopy research technique for the nanostructures on the vertical edge of thin insulating film / E.Gorlachev, V.Levin, V.Mordvintsev V. // Journal of Physical Science and Application. – 2013. – Vol. 3, No. 1. – P. 18-26.
63. Зимин, С.П. Динамика оксидных фаз на поверхности монокристаллических и поликристаллических пленок Pb1 xSnxTe при исследованиях методом комбинационного рассеяния света / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, Н.В.Гладышева, В.В.Наумов, В.Ф.Гременок, Х. Г.Сейди // Оптика и спектроскопия. – 2013. – Т. 115. № 5. – С. 67-72.
64. Ryzhii, V. Double injection in graphene p-i-n structures / V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, and T. Otsuji // J. Appl. Phys. 2013. V.113, 244505.
65. Svintsov, D. Voltage-controlled surface plasmon-polaritons in double graphene layer structures / D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji // Journal of Applied Physicsю 2013. - V. 113. - Iss. 5. - Р. 053701.
66. Svintsov, D. A. Tunnel FET with graphene channels / D. A. Svintsov, V. V. Vyurkov, V. F. Lukichev, A. A. Orlikovsky, A. Burenkov, and R. Oechsner // Semiconductors - 2013. - V. 47. - №2. - Р. 279–284.
67. Орликовский, А.А. Эволюция МДП-нанотранзистора: от элемента интегральных схем к квантовому регистру / А.А.Орликовский, В.В.Вьюрков, К.В.Руденко, И.А.Семенихин, Д.А.Свинцов, А.В.Мяконьких, С.Н.Филиппов, А.Е.Рогожин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С. 141-174.
68. Мяконьких, А.В. Формирование подзатворного диэлектрика для МДП-нанотранзистора методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения оксида гафния / А.В.Мяконьких, А.Е.Рогожин, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Интеграл, №3-4, с. 16-17, 2013.
69. Аверкин, С.Н. Анизотропное плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии суб-100 нм ширины через электронорезистную маску / С.Н.Аверкин, Е.Н.Жихарев, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, А.А.Рылов, И.А.Тюрин // Интеграл. 2013. №3. С.14-15.
70. Litovchenko, V. Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon / V. Litovchenko, B. Romanyuk, O. Oberemok, V. Popov, V. Melnik, K. Rudenko, V. Vyurkov // Advanced Materials Research. - Functional Nanomaterials and Devices VII. - 2013. - V. 854. - Р. 141-145 ; doi: 10.4028/www.scientific.net/AMR.854.141.
71. Chesnokov, J.M.The microstructure of Si surface layers after He+ and Ar+ plasma immersion ion implantation / J. M.Chesnokov, A.L.Vasiliev, V.F.Lukichev, K.V.Rudenko // J. Phys.: Conf. Ser. - 2013. - V.471. - 012049. - (Eighth Int.Conf. on Magnetic and Superconducting Materials. - Oxford, September 02-05, 2013). - doi:10.1088/1742-6596/471/1/012049.
72. Мяконьких, А.В. Фотовольтаический эффект в структуре на основе аморфного и нанопористого кремния, сформированной методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации / А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, К.В. Руденко, В.Ф. Лукичев // Микроэлектроника. 2013. Т. 24. №4ю С. 1-8.
73. Privezentsev, V. ZnO Nanoparticle Formation in Zn+ Ion Implanted SiO2/Si Structure / V. Privezentsev, V. Kulikauskas, A. Bazhenov, E. Steinman // Phys. Stat.Sol. C. - 2013. - V. 10. - P.48–51.
74. Привезенцев, В.В. ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ИМПЛАНТИРОВАННОЙ ИОНАМИ ЦИНКА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ / В.В. Привезенцев, Н.Ю.Табачкова, В.С. Куликаускас, Д.В. Петров, Ю. Ю. Лебединский // ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. - 2013. - T. 77. - № 8. - C. 1063–1069.
75. Privezentsev, V.V. X-Ray Diffraction Study of Defects in Zinc Diffusion Doped Silicon / V.V. Privezentsev // Crystallogr. Rep. - 2013. - V.58. - P.963–969.
76. Shcherbachev, K. Defect structure transformation after thermal annealing in a surface layer of Zn-implanted Si(001) substrates / K. Shcherbachev, V. Privezentsev, V. Kulikauskas, V. Zatekin, V. Saraykin // J. Appl. Cryst. - 2013. - V.46. - P.882–886.
77. Митропольский, Ю.И. Проблемы разработки новой архитектуры процессоров и вычислительных систем / Ю.И.Митропольский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.109-140.
78. Амиров, И.И. Высокоаспектное травление кремния / И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев, А.С.Шумилов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев - М.:Наука, 2013. - 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.192-211.

1. Богданов, Ю.И. Динамика сцепленности в квантовых операциях на сверхпроводниковых фазовых кубитах / Ю.И. Богданов, Б.И. Бантыш, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, А.С. Холево // Труды XVII международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника. Нижний Новгород. 11-15 марта 2013. Т.1. С.15-16
2. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование влияния квантовых шумов на точность реализации квантовых алгоритмов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, И.А. Семенихин, А.С. Холево, А.Ю. Чернявский // International Conference "Parallel and Distributed Computing Systems" PDCS 2013 (Ukraine, Kharkiv, March 13-14, 2013). P. 50-57
3. Zanuccoli, M. Optical simulation of ZnO/CdTe and c-Si/a-Si vertical nanowires solar cells / M. Zanuccoli, J. Michallon, I. Semenikhin, A. Cachopo, E. Sangiorgi, C. Fiegna // Proc. 14th International Conference on ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (ULIS-2013). - March 19-21, 2013, University of Warwick, UK. - Р. 209-212.
4. Gabbasov, R.R. Size effect of magnetic nanoparticles on the shape of the Mossbauer spectrum / R.R.Gabbasov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, M.A.Polikarpov, M.P.Nikitin, S.M.Deyev, V.Y.Panchenko // IEEE Transactions on Magnetics. - 2013. - V.49. - N1. - P. 394-397.
5. Polikarpov, D.M. Biodegradation of Magnetic Nanoparticles in Rat Brain Studied by Mossbauer Spectroscopy / D.M. Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, V.A.Korshunov, M.P.Nikitin, S.M.Deyev, V.Y.Panchenko // IEEE Transactions on Magnetics. - 2013. - V.49. - N1. - P. 436-439.
6. Makhviladze, T. Theory of electromigration and its application to ULSI metallization / Tariel Makhviladze, Mikhail Sarychev // Доклад на Научной сессии ОНИТ РАН в рамках Междунар. симпозиума «Элементная база кремниевой микро- и наноэлектроники, твердотельных квантовых компьютеров». September 10, 2013. Moscow. Russia.
7. Makhviladze, T. A quantum mechanical model for calculations of effective ion charges in polycrystalline interconnects / T. Makhviladze, M. Sarychev // Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Theoretical Physics “Theoretical Physics and its Applications”. June 24- 28, 2013. Moscow. Russia. P. 2806(a).
8. Makhviladze, T. The theory and modeling results of electromigration induced phenomena in nano-dimensional thin-films conductors / T.M. Makhviladze, M.E. Sarychev // Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Theoretical Physics “Theoretical Physics and its Applications”. June 24- 28, 2013. Moscow. Russia. P. 2706.
9. Makhviladze, T. Some theoretical aspects of cracks evolution in VLSI interface elements / T. Makhviladze, M.Sarychev // Abstracts of XIV Int. Conf. on Intergranular and Interphase in Materials. June 23 – 28, 2013. Halkidiki. Greece. P. 157.
10. Svintsov, D. All-Graphene Tunnel Field-Effect Transistor / D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Orlikovsky, V. Ryzhii, and T. Otsuji // Second Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop "Functional Nanomaterials and Devices", 8-11 April, 2013, Kyiv, Ukraine. - Conference Abstracts. - Р. 61.
11. Orlikovsky, A. Quantum noise in nanotransistors / A. Orlikovsky, V. Vyurkov, S. Filippov, I. Semenikhin // Second Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop "Functional Nanomaterials and Devices", 8-11 April, 2013, Kyiv, Ukraine, Conference Abstracts. - Р. 53-54.
12. Vyurkov, V. Quantum Computer in MOSFET Channel: Coulomb Blockade for Measurement / V. Vyurkov, A. Orlikovsky, D. Svintsov, and M. Rudenko // 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC’2013). - 5-7 Dec. 2013, Washington, USA. - Book of Abstracts.
13. Demirchyan, S. Effect of metal electrodes on single electron states in quantum dots» / S.Demirchyan, M.Rudenko and V.Vyurkov // Book of Abstracts Third Russian-Taiwan School-Seminar «Nonlinear Optics and Photonics». - Suzdal/Vladimir, Russia, June 14-17, 2013. - P.36, .
14. Мяконьких, А.В. Формирование слоев диэлектрика HfO2 для МДП-структур наноэлектроники в процессе P-ALD: технология, электрические и оптические свойства / А.В.Мяконьких, А.Е.Рогожин, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Труды 3-го Всероссийского семинара по проблемам химического осаждения из газовой фазы. - Иркутск, 23-27 июня 2013. - С.34-36.
15. Ломов, А.А. Рентгено-рефлектометрические исследования приповерхностных слоев кремниевых подложек, легированных низкоэнергетичными ионами Не+ / А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, Н.А. Карягин, Ю.М. Чесноков, А.Л. Васильев // Сб.мат. 6-го международного семинара «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики» (Великий Новгород, 19-27 августа 2013 г.) - С. 191-193
16. Привезенцев, В.В. КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ АСМ-ИЗОБРАЖЕНИЙ СИСТЕМЫ НАНОПОР В СТРУКТУРЕ SiO2/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ ЦИНКА / В.В. Привезенцев, Д.В. Петров, В.Н. Соколов, О.В. Разгулина // Тез. XVII Росс. Симп. по растр. электр. микроск. и аналит. мет. исслед. тв. тел (РЭМ-2013). Черноголовка, 3-7 июня, 2013г. - Черноголовка:ИПТМ. - C.69-70.
17. Привезенцев, В.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ZnO В Si, ИМПЛАНТИРОВАННОМ ИОНАМИ 64Zn+ и 16O+ (ФВЗЧК-2013) / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В.Затекин, Д.В. Петров, А.Н.Шемухин, А.В. Макунин, А.Ю. Трифонов // Тулиновская науч.конф. Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 28-30 мая, 2013). - М.:НИИЯФ МГУ. - С.172.
18. Privezentsev, V.V. ZnO Defects and Pricipitates in Zn Diffusion Doped Si / V.V. Privezentsev, V.V. Saraykin // Book of Abstr. of the XIV Intern. Conf. on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (IIB 2013). - Halkidiki, Greece. - P. 128.
19. Privezentsev, V.V. Nanoparticles in Si, Fabricated by Zn+ Ion Implantation Сombined with Thermal Treatment / V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, Yu.Yu. Lebedinskii, V.V. Saraykin // Booklet of Abstr. of the IVC-19. - Paris, France. - 2013. - Р.158.
20. Privezentsev, V.V. HRXTEM and XPS Study of Nanoparticle Formation in Zn+ Ion Implanted Si / V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, Yu.Yu. Lebedinskii // Book of Abstr. of the 27 Intern. Conf. on Defects in Semicond (ICDS). - Bologna, Jul 21-26, Italy, 2013. - P.165.
21. Privezentsev, V.V. ZnO Nanoparticles Formation in Si by subsequent Zn+ and O+ Ion Implantation / V.V. Privezentsev, V.V. Saraykin, A.V. Lutzau A, D.V. Petrov // Book of Abstr. of the XV Intern. Conf. on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2013). - Oxford, Sept 22-27, UK. - P. 128.
22. Kaminski, P. Deep defect centers in semi-insulation n-type Si revealed by HRPITS / P. Kaminski, R. Kozlovski, V.V. Privezentsev // Book of Abstr. of the 15th Intern. Conf. on Defects- Recogn., Imag. and Phys. In Semicond. (DRIP XV). - Warsaw, Poland, 2013. - P. P48.
23. Трифонов, А.Ю. Формирование наночастиц в кремнии, имплантированном ионами цинка и кислорода / А.Ю. Трифонов, В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, Д.В. Петров // Сб тез. XI Росс. конфер. по физ. полупроводн. (Санкт-Петербург, 16-20 сент, 2013г.) - СПб: ФТИ РАН. - C. Р134.

1. Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах. Брук М.А., Жихарев Е.Н., Кальнов В.А., Спирин А.В., Стрельцов Д.Р. Патент РФ № 2478226, Бюл. изобр., 2013, № 9.
2. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур обладающих эффектом переключения проводимости / Бердников А.Е., Геращенко В.Н., Гусев В.Н., Мироненко А.А., Орликовский А.А., Попов А.А., Рудый А.С. // Патент РФ на изобретение (Заявка на выдачу патента: регистрационный №2012129255, входящий №045780, приоритет от 10.07.2012). 30 мая 2013 уведомление о проведении экспертизы заявки на изобретение по существу.
3. Способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки с укороченным управляющим электродом нанометровой длины / Вьюрков, В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Окшин А.А., Орликовский А.А., Руденко К.В., Семин Ю.Ф. - Заявка на патент РФ № 2012122887 от 05.06.2012, Положительное решение о выдаче патента на изобретение от 13.09. 2013г.
4. Конструкция диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости / Орликовский А.А., Рудый А.С., Бердников А.Е., Попов А.А., Мироненко А.А., Гусев В.Н., Черномордик В.Д. - Патент РФ на изобретение (Заявка на выдачу патента: регистрационный №2013121234, входящий №031314, приоритет от 07.05.2013)
5. Моделирование многокубитового квантового преобразования Фурье и алго-ритма Гровера, подверженных воздействию шумов. Авторы: Семенихин И.А., Богданов Ю.И. Правообладатель: Физико-технологический институт РАН. Свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ №2013617720 от 22.08.2013.
6. Расчеты полевого транзистора на основе двойного слоя графена. Авторы: Семенихин, И.А. , Д.А. Свинцов, В.В. Вьюрков. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617719, 22.08.2013.
7. Трехмерные расчеты полевого транзистора на основе сверхтонкого слоя кремния. Авторы : Семенихин, И.А. , В.В. Вьюрков. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617587, 20.08.2013.
8. Расчеты полевого транзистора на основе графена. Авторы: Семенихин, И.А. , В.В. Вьюрков, Д.А. Свинцов. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617718, 22.08.2013.
9. Трехмерные нестационарные расчеты состояний твердотельных кубитов квантового компьютера. Авторы: Вьюрков, В.В., Подливаев А.И. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617698. - 21.08.2013.