Публикации за 2002 год : Физико-технологический институт Российской академии наук

English

Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2002 год

А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 - 362.
А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 - 427.
С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
M. A. Chuev, O. Hupe, A. M. Afanas'ev, H. Bremers, J. Hesse. Alternative approach for evaluation of Mossbauer spectra of nanostructured ferromagnetic alloys within generalized two-level relaxation model. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.76, N9-10, с.656-660.
А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев, П. Г. Медведев. Линии Косселя как новый тип источника рентгеновского излучения. ЖЭТФ, 2002, т.122, N9, с.549-558;
М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, N7, с.76-80.
А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, , т.31, N1, с.3-8.
А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, М. А. Чуев, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия псевдоморфной гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs разной толщины. Кристаллография, 2002, в печати.
А. М. Афанасьев, А. В. Зозуля, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. О фазовой проблеме в трехволновой рентгеновской дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.75, N7, с.379-384.
A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells. Phys. Rev. B, 2002, v. 64, 085312;
A. Zakharova, K. A. Chao. Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p. 5003-5016;
A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures. Proceedings of SPIE, in press.
К. П. Новоселов. Теоретическое изучение процесса химического осаждения нитрида кремния из смеси дихлоросилана и аммиака. "Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III", Труды ФТИАН, т.17, с.54-81, 2001.
А. А. Багатурьянц, А. Х. Минушев, А. С. Владимиров, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. "Теоретическое изучение механизма и кинетики газофазных реакций всмеси дихлоросилана и аммиака". Физико-технологический институт РАН, препринт №24, М.: 2000.
А. А. Багатурьянц, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. "Теоретическое исследование структуры нитрида кремния и механизма некоторых поверхностных реакций". Физико-технологический институт РАН, препринт №25, М.: 2000.