Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН)

Последние новости

07.02.2022
   На сайте РАН опубликована 1я часть интервью нашего директора - В.Ф.Лукичева.


31.01.2022
   Директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев дал интервью редакции сайта РАН.

24.01.2022
   Научного сотрудника ФТИАН Алексея Мельникова пригласили выступить с онлайн-докладом в Калифорнийском технологическом институте.
   Тема доклада: Reinforcement learning for designing quantum protocols
   Приглашаем желающих присоединиться к обсуждению в формате онлайн-конференции Zoom.
   Ссылка для подключения: https://caltech.zoom.us/j/93304584361.
   Meeting ID: 933 0458 4361 .
   Дата и время доклада: Monday, January 24, 2022; 12:30pm to 1:30pm (Pacific Time).
   Детали по ссылке: https://www.theory.caltech.edu/calendar/inqnet-seminar-12.

13.01.2022
   Поздравляем сотрудников ФТИАН - победителей конкурса 2022 - 2024 года на право получения стипендии Президента РФ молодым учёным и аспирантам -
   Мельникова Алексея Андреевича и Сидорова Фёдора Алексеевича!

   Победители конкурса 2022-2024 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам

13.10.2021
   В период 4-8 октября 2021 г. в парк-отеле «Ершово» (г. Звенигород) состоялась 14-я
   Международная научная конференция «International Conference Micro- and Nanoelectronics -2021 (ICMNE-2021, icmne.ftian.ru)» с расширенными сессиями «Quantum Informatics QI-2021», организованная ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, в этот раз в гибридном очно-дистанционном формате.
   Конференция аффилирована как конференция SPIE (USA), и традиционно, по правилам SPIE, проводится на английском языке. С устными докладами и постерами (176 докладов) выступили ведущие ученые из России, Белоруссии, Великобритании, Франции, Бельгии, Австрии, США, Канады, Израиля, и Японии. Подробно ознакомиться с полными версиями докладов в виде научных публикаций можно будет в Трудах конференции, издаваемых в виде отдельного тома Proceedings of SPIE, целиком посвященного конференции ICMNE-2021.
   Институт выражает благодарность за помощь в организации конференции АО «НИИМЭ», OOO «Техноинфо» и компьютерной компании НИКС. Надеемся, все участники остались довольны проведенными дискуссиями и обретенными новыми научными контактами. Приглашаем на очередную конференцию ICMNE в 2023 году!

13.10.2021
   13 октября 2021г. Леонид Федичкин, ведущий научный сотрудник Физико-технологического института им. К.А.Валиева РАН дал интервью Радио SPUTNIK РИА о перспективах квантовых компьютеров https://radiosputnik.ria.ru/20211013/1754319166.html

13.09.2021
   Информация о грантах:

   Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки ведущих научных школ Российской Федерации
   Организатор: Совет по грантам Президента РФ
   Дедлайн: 07 октября 2021
   Подробности: https://grants.extech.ru/docs/NSH_2022.PDF

   Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук
   Организатор: Совет по грантам Президента РФ
   Дедлайн: 07 октября 2021
   Подробности: https://grants.extech.ru/docs/MK_2022.PDF

   Стипендии Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых ученых и аспирантов
   Организатор: Совет по грантам Президента РФ
   Дедлайн: 07 октября 2021
   Подробности: https://grants.extech.ru/docs/SP_2022.PDF

Архив новостей

Полезные ссылки

	Год науки и технологий
	25 лет ФТИАН
	Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН
	Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
	Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
	Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур»

Все ссылки

Голосование



Всего голосов:0
Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К. А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

28 июля 2010 года К.А.Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

    Директором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
   В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
   Орликовский А.А - один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

   Академик А. А. Орликовский ушел из жизни 1 мая 2016 года. Память о нем навсегда останется в сердцах коллег, друзей и знакомых.

Лукичев Владимир Федорович      В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, 1961 года рождения, с отличием окончил Московский институт тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (1984), доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях. В Институте работает с 1990 г., прошел творческий путь от научного сотрудника до заместителя директора по научной работе (с 2016 г.), совмещает административную работу и научное руководство Лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИАН. В период с 1996 по 2008 г.г. внес большой вклад в развитие научных основ плазменных технологий микро- и наноэлектроники, физических методов диагностики плазмостимулированных процессов с применением низкотемпературной химически активной плазмы, лежащих в основе базовых плазмохимических технологий. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области. Принимал активное участие в работах Физико-технологического института по созданию отечественных широкоапертурных источников плазмы для микротехнологических применений. Коллектив разработчиков награжден золотой медалью ВВЦ (ВДНХ) за создание опытной линейки плазмохимических установок с данными источниками. В настоящее время научные интересы К.В. Руденко сконцентрированы в области физики, создания новых конструкций и технологий МДП-нанотранзисторов и низкоразмерных полупроводниковых структур с длиной канала 10 нм и менее. Руденко К.В. читает курсы лекций в качестве профессора базовой кафедры МФТИ «Наноэлектроника и квантовые компьютеры», является членом редколлегии - ответственным секретарем журнала «Микроэлектроника» («Russian Microelectronics»), со-председателем оргкомитета регулярной Международной научной конференции «International Conference on Micro- and Nanoelectronics» (ICMNE). Член 2-х Диссертационных Советов, эксперт РФФИ, координатор тематического экспертного совета в Отделе «офи-м» РФФИ.

   Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, родился в г. Москве 2 ноября 1975 года. В 1998 году окончил с отличием Московский государственный институт электроники и математики по специальности «Электронное машиностроение» и поступил на работу в ФТИАН РАН. В 2002 году получил ученую степень кандидата физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета. В 2018 году избран ученым секретарем ФТИАН им К.А. Валиева РАН.
   Научные интересы Хорина И.А. связаны с исследованиями многоуровневых систем металлизации ИС, затворных структур для нанотранзисторов, многослойных металлических наноструктур, с методами исследования материалов и структур электроники.
   Хорин И.А. является автором более 60 работ, в том числе, учебного пособия «Технологии электронной компонентной базы», которое заняло I место в номинации “Компьютерные и информационные науки” I конкурса публикаций «Университетский учебник-2017», организованного ООО Компанией «Ай Пи Ар Медиа». Кроме того, Хорин И.А. отмечен в 2002 году Почетной медалью Международной Академии авторов научных открытий и изобретений «За заслуги в деле изобретательства» в области многоуровневой технологии УБИС и в 2004 году Премией «Международной академической издательской компании «Наука/Интерпериодика» за лучшую публикацию в издаваемых ею журналах.

Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Министерства науки и высшего образования России находится под научно-методическим руководством Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской Академии Наук.
Основная сфера исследований, проводимых Физико-технологическим институтом РАН, и закрепленных в Уставе организации в виде научных направлений, - это фундаментальные, поисковые и прикладные исследования в области физики и технологий электронной компонентной базы (ЭКБ) информационных систем и технологии обработки информации, включая квантовые.
Руководят исследованиями в Институте два члена-корреспондента РАН, 16 докторов и 41 кандидат наук. Общая численность сотрудников института 178 человек.

Фундаментальные и поисковые исследования ведутся по направлениям:

Физика и научные основы технологий нанотранзисторов, наноструктур с низкой размерностью, интегральных приборов схем памяти вычислительно-информационных систем;
Физические основы квантовых вычислений, квантовые методы обработки информации и перспективная элементная база квантовых компьютеров;
Физика и технология элементной базы микро- и наносистемной техники
Физические модели и методы математического моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Исследования магнитных микроструктур и наномагнетиков.
Физика и диагностика поверхности и тонких пленок в структурах микроэлектроники, включая рентгеновские, электронно-микроскопические методы, методы локального анализа поверхности.

Среди прикладных задач:

Разработка новых типов широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы низкого давления и источников ионов для технологических применений в микро- и наноэлектронике;
Разработка экспериментального технологического оборудования для плазмостимулированного осаждения тонких пленок, анизотропного плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазменно-иммерсионной ионной имплантации, ионно-пучковых технологий;
Разработка автоматизированных методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
Разработка конструкций, технологических маршрутов и технологий изготовления элементов микро- и наноэлектромеханики
Разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;

Структура института

Головная организация ФТИАН им. К.А. Валиева РАН в Москве имеет следующие подразделения:

Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов;
(руководитель д.ф.-м.н. К.В. Руденко)
Лаборатория ионно-лучевых технологий;
(руководитель д.т.н. Ю.П. Маишев)
Лаборатория технологии микро- и наносистем;
(руководитель чл.-корр. РАН В.Ф. Лукичев)
Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур;
(руководитель д.ф.-м.н. М.А. Чуев)
Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники;
(руководитель д.ф.-м.н. Т.М. Махвиладзе)
Лаборатория физики квантовых компьютеров;
(руководитель д.ф.-м.н. Ю.И. Богданов)
Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем.
(руководитель д.ф.-м.н. А.В. Цуканов)

Головная организация ФТИАН им. К.А. Валиева РАН в Москве имеет следующие подразделения:

Ярославский Филиал ФТИАН (вебсайт http://yf-ftian.ru/)
(Руководитель филиала профессор, д.ф.-м.н. А.С. Рудый)
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯФ ФТИАН- ЯрГУ (вебсайт: http://ftian.ru/cffs/ и http://yf-ftian.ru/ckp)

Образовательная деятельность и подготовка научных кадров на базе ФТИАН РАН: При Институте функционируют:

Кафедра (базовая) наноэлектроники и квантовых компьютеров Московского физико-технического института, зав. кафедрой член-корреспондент РАН В.Ф.Лукичев, профессорско-преподавательский состав – ведущие ученые ФТИАН РАН. Проводит всеобъемлющую подготовку бакалавров и магистров по направлению 03.06.01. «Физика и астрономия», направленность подготовки «Физика конденсированного состояния (Физическая электроника)»
Кафедра (базовая) нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском Филиале ФТИАН, Зав. кафедрой - директор ЯФ ФТИАН РАН д.ф.-м.н. А.С. Рудый. Проводит подготовку бакалавров и магистров по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
Научно-образовательный центр ФТИАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии». Проводит подготовку специалистов в соответствующих областях.
Аспирантура РАН;
Cпециализированный Диссертационный Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах (временно закрыт).

ФТИАН РАН активно сотрудничает с ведущими ВУЗами России: Московским физико-техническим институтом (национальный исследовательский университет - МФТИ НИУ), Московским инженерно-физическим институтом (Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ), Московским институтом электронной техники (Национальный исследовательский ядерный университет МИЭТ), МИРЭА Российским технологическим университетом, Московским государственным университетом им. М.В. Ломоносова, Ярославским государственным университетом им. П.Г. Демидова.